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耐高壓單層陶瓷電容器

在GaN半導體中，單層陶瓷電容也用于阻抗匹配，在漏極側高壓下使用，所以能承受高電壓的單層陶瓷電容是必不可少的。除了偏置電壓之外，還疊加了放大的高頻電壓，因此要求單層陶瓷電容器具有高耐壓，并在額定電壓范圍內留有余量。

制造額定電壓200V的單層陶瓷電容。

Tecdia因??應市場需求，制作了以下規(guī)格的高壓單層陶瓷電容器樣機。

Tecdia 的高壓單層陶瓷電容器具有五個特點。
1．介電擊穿電壓達到 500 V 或更高，是高壓應用的理想選擇
2．高可靠性
3．通過定制為矩形，可以對應狹長空間的封裝需求（L:W = 最大 8:1）
4．定制尺寸和電容值提供上佳解決方案
5．導電環(huán)氧樹脂附著保護熱敏外圍組件

從電介質基板的制造到批量生產，都能提供滿足客戶需求的產品。

在 Tecdia，我們生產 40 到 50,000 材介電基板，從粘合到內部燒制，可實現適用于高壓應用的極高絕緣性能。我們從制造介電基板到產品批量生產，我們可以根據客戶需求定制尺寸和電容值。

實現半導體高效率

我們通過使用高壓單層陶瓷電容器優(yōu)化阻抗實現了高效率，并且我們收到了與 MOS 電容器相比功率附加效率（PAE）有所提高的反饋。

高壓單層陶瓷電容器的應用示例包括用于軍用無線電設備放大半導體的偏置電路和阻抗匹配。目前，我們的常規(guī)產品系列中沒有符合客戶需求的高壓電容，但在與客戶確認規(guī)格后，我們提供完全符合客戶需求的替代產品。如有需要請聯系我們。