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SiC晶片的芯片化用傳統(tǒng)工藝難以實(shí)現(xiàn)。

SiC（碳化硅）是地球上硬度第3的化合物。新莫氏硬度為13，比SiC還硬的只有金剛石（新莫氏硬度15）和碳化硼（新莫氏硬度14）。正因?yàn)镾iC晶片具有堅(jiān)硬的電路板，采用劃線工藝時(shí)會(huì)有切削速度慢、生產(chǎn)率低且崩裂過(guò)大的問(wèn)題，如果采用激光工藝，則會(huì)有碎片，或者設(shè)備本身價(jià)格過(guò)高且光源穩(wěn)定性不能保證的問(wèn)題。

從設(shè)備開(kāi)發(fā)階段出發(fā)，如果要穩(wěn)定地進(jìn)行實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)活躍動(dòng)向的SiC電路板的芯片化，必須要解決這些問(wèn)題。

劃線工藝要解決這個(gè)難題。

使用TECDIA獨(dú)創(chuàng)的研磨技術(shù)進(jìn)行劃線工具（刀具）的開(kāi)發(fā)。同時(shí)，結(jié)合已開(kāi)發(fā)的劃線工具（刀具）,還可對(duì)劃線工具進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置，成功實(shí)現(xiàn)SiC晶片的芯片化。如引入本技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)及高生產(chǎn)率的SiC晶片的芯片化。

*"劃線設(shè)備"與"劃線工具（刀具）"配套系列，只有專(zhuān)注于技術(shù)開(kāi)發(fā)的TECDIA才能實(shí)現(xiàn)的技術(shù)。

以客戶(hù)的"目標(biāo)"為目標(biāo)，發(fā)揮TECDIA產(chǎn)品的定制能力。

除了按照客戶(hù)提供的樣品進(jìn)行芯片化之外，認(rèn)真咨詢(xún)客戶(hù)"您希望得到什么樣的結(jié)果"，聽(tīng)取更細(xì)致的要求，然后應(yīng)用TECDIA已有技術(shù)的定制能力，這是關(guān)鍵。

本技術(shù)與激光工藝，砂輪式工藝相比，實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)作業(yè)，提高了生產(chǎn)效率。推薦使用SiC晶片的芯片化工序。